据半导体产业网，于2023年11月29日报道，日盲紫外光电探测器广泛应用于太阳观测、天气预报、农业保护等领域。随着技术的不断进步，日盲紫外光电探测器未来的发展方向将会趋于多样化和高级化。比如有望成为下一代光通信系统的重要组成部分，除了可以用来进行卫星遥感以外，还可以用于医学成像、无损检测等领域。还可以与其它探测器结合使用，例如激光雷达等，以实现更加精准和多元化的探测应用。而基于AlGaN材料的紫外探测器可通过调整Al组分实现日盲，从而降低背景噪声，省去长波长滤光片，具有成本低、体积小、量子效率高、抗辐照能力强、化学稳定性高等优点，被认为是最有发展前景的半导体紫外探测器件。
2023年11月27-30日第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
期间，“氮化物半导体固态紫外技术分会”如期举行，本届分会得到了三安光电股份有限公司、纳微朗科技（深圳）有限公司、厦门光莆电子股份有限公司、赛迈科先进材料股份有限公司、山西中科潞安紫外光电科技有限公司的协办支持，南京大学--江苏省光电信息功能材料重点实验室的学术协办。
分会上，南京大学副研究员蔡青带来了“AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器的优化设计及击穿机理研究”的主题报告。当前，AlGaN紫外面临着高位错密度、高过量噪声、p型掺杂效率低等挑战。报告分享了AlGaN外延横向过生长、AlGaN APD器件结构设计、AlGaN APD击穿机制等研究进展与成果。
研究基于AlN自组装的横向外延组合超晶格纳米图案化模板可以有效地过滤位错并优化AlGaN雪崩光电二极管结构的生长。研制了具有新型一维光子晶体结构、周期性叠层倍增结构和三台面结构的AlGaN紫外APD。获得了暗电流小、增益大于106的AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器。研究了SAM APD的穿透机制和AlGaN APD的微等离子体雪崩击穿机制。
