据物理学家组织网1月23日报道,英国曼彻斯特大学的科研人员设计出一种新型石墨烯晶体管,在其中电子可借助隧穿和热离子效应,同时从上方和下方穿越障碍,并在室温下展现出高达1×106的开关比率。 石墨烯晶体管获得较高的开关比率一直难以实现,而有了高开关比,以及其在柔性、透明基板上的操作能力,新型晶体管能够在后CMOS设备时代占有一席之地,并有望达到更快的计算速度。相关研究发表在近期出版的《自然·纳米技术》杂志上。