据美国电子时代网站2013年5月21日报道，欧洲启动一项为期三年、总投资3.6亿欧元（约合4.65亿美元）的项目，以促进全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）制造工艺在欧洲实现产业化。该项目名为Places2Be，由在FDSOI工艺领域处于领先地位的意法半导体（ST）公司领导。该项目将在ST位于法国克罗尔市的晶圆厂和格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）公司位于德国德累斯顿市的第一生产厂内建立试生产线。
        Places2Be是“在欧洲建立2X生产节点先进绝缘体上硅（SOI）互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺试生产线”的简写。Places2Be采用超薄体和埋氧氧化层（UTBB）FDSOI技术，该技术可为晶体管提供从低功耗至高速度的调节能力。该项目由欧洲纳电子计划顾问委员会（ENIAC）纳米电子学公私联合工作组（JU）和来自7个国家的19个公司和学术机构联合组成的公共机构提供支撑。由于欧盟和国家公共机构资金投放方式的复杂性，暂时无法确定4.65亿美元将如何由纳税人提供。从历史上看，参与欧盟项目的公司最多可得到总支出成本50%的资金支持，大学最多可以得到总成本75%的资金支持。
        ST公司表示，Places2Be项目是ENIAC目前最大的一笔资金投入，目标是支持28nmFDSOI试生产线的建立，未来实现欧洲先进制造工艺量产。资金将用于欧洲FDSOI设计与制造生态系统建立，以及支持后续14nm和10nm节点的发展。FDSOI具备低功耗，高性能、可替代体硅CMOS和FinFET技术等优点，普遍认为将取代体硅CMOS技术。ST公司表示，FDSOI速度更快，温度更低，且更容易实现；但从目前来看，主要的芯片制造商如英特尔，台积电和三星公司对此并不认同。ST公司已经在法国克罗尔市开始该技术的研发，第一个FDSOI系统计划将用于消费电子、高性能计算和网络。
        该项目包括来自7个国家的19个单位，分别是瑞典ACERO公司、阿迪克森真空产品公司、Axiom集成电路公司、Bruco集成电路公司、法国原子能暨替代能源委员会、海豚集成公司、爱立信公司、eSilicon罗马尼亚公司、Forschungzentrum JuelichGmbh公司、格罗方德公司、格勒诺布尔INP公司、比利时微电子研究中心（IMEC）、离子束服务（IBS）公司、明导图形法国公司、法国Soitec公司、意法爱立信公司、意法半导体公司、鲁汶天主教大学和特文特大学。未来三年计划有500名工程师参与其中。