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  技术动态    
罗彻斯特理工学院改进纳米结构制造工艺
作者:cmh        来源:国防科技信息网 
日期:2018-04-01    阅读次数:217
副标题:

       据 宋文文 报道,美国今日半导体网站2018年3月21日讯,美国罗彻斯特理工学院(RIT)表示,已经找到了一种更高效的制造电子器件用半导体的工艺,这种名为“逆金属辅助化学蚀刻”(I-MacEtch)方法有利于满足日益增长的对更多功能强大且可靠的纳米技术的需求,这些纳米技术通常用于太阳能电池、智能手机、电信网格,以及光子学和量子计算领域。    
        I-MacEtch 工艺结合了两种传统湿法蚀刻和反应离子蚀刻(RIE)方法的优点。RIT 凯特格里森学院微系统工程助理教授兼外延整合纳米级系统(EINS)实验室主任 Parsian Mohseni 表示,“I-MacEtch 是两种传统方法的替代品,并且是一种已在该领域使用的技术——但是已探索的材料相当有限。”MacEtch 已被广泛用于处理硅。与此同时,研究人员正在对 III-V 族半导体材料进行评估,这可能有助于这种具有相同优势的同类制造工艺发展。    
        Mohseni 正在研究 III-V 材料的不同合金,即三元合金,如磷化铟镓 (InGaP)。他表示,“我们第一次考虑将I-MacEtch 处理应用于 InGaP 材料,这是一种非常知名的材料,可用于电子和太阳能电池行业。我们正在建立新的协议,以处理更具成本效益的现有材料,以及更可持续的工艺。”    
        这项研究强调了纳米加工方法学如何应用于 InGaP,以及它如何影响器件应用的处理,以及高纵横比和纳米尺寸半导体特性的生成。据推测,新型工艺方法在开发高纵横比结构(如纳米线)的有序阵列方面具有重要意义。    
       对于太阳能电池,目标是最大限度地降低成本与发电比率。如果可以降低制造电池的成本并提高电池的效率,那么这将改善整个装置。通过结合湿法刻蚀和 RIE 的优点,探索制造现有材料的新方法,从而实现更快更便宜和更受控的工艺,这一直是 Mohseni 工作的重点。改进的工艺意味着避免昂贵、笨重、危险的工艺方法。    
        Mohseni 表示,“我们正在使用一个简单的台面设置,我们最终得到非常相似的结构;事实上,人们可以争辩说,它们的质量要高于我们在更低成本、更少时间、更少步骤,且没有较高的温度条件或昂贵的仪器下用RIE产生的结构。”    

    
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