据 李茜楠 报道，物理学组织网站2018年11月28日讯，俄罗斯罗巴切夫斯基州立大学获得了一种具有新结构的材料，可应用于下一代光电子和光子学领域。这种新材料是硅的六边形改性产物之一，与传统微电子器件中使用的立方硅相比，具有更好的发光性能。 
       制造这种材料的原始技术是将惰性气体离子注入到硅表面上的介电薄膜中，从而产生机械应力。高温退火过程中应力的扩散导致硅衬底与介电层界面处发生相变。因此，在硅衬底上形成了具有新相位的表面层。该表面层可以用于集成电路的光学有源元件。 
       据研究人员 Alexey Mikhaylov 讲，在过去的十年里，由于需要进一步提高集成电路的速度，寻找与传统硅技术兼容的发光材料变得尤为紧迫。目前，集成电路的速度主要受限于电信号的传输速率。 
       Alexey Mikhaylov.表示，“克服限制的最有希望的方法是使用光信号传输，但不幸的是到目前为止还没有技术可以实现硅基光信号传输集成电路”。下诺夫哥罗德的科学家已经合成了能够作为光学活性介质的硅层。实验人员、工程师和理论家密切合作，详细研究了这些层的合成条件、光学性能和电子结构。 
       Alexey Mikhaylov 称，“在这项工作中，首次采用离子注入技术对硅进行了六边形改性，并在红外光谱区域检测到了相关的发射波段。这个发现特别的重要，因为这个波段是硅光波导的透明区域。” 
       因此，下诺夫哥罗德研究人员的工作可以作为创造光电集成电路的新起点，并且这种集成电路将采用传统的技术操作和基于硅的材料制造。