据半导体产业网，于2023年06月20日报道，随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等新需求的快速发展，在全球信息化发展及可持续电气化转型中发挥着至关重要的作用。功率芯片将大幅提升特高压柔性电网、高速列车、新能源汽车、工业电机、智能制造等新兴产业的能源利用效率和智能化水平，满足绿色发展、智能制造等国家重大战略需求，对新兴产业的带动面广、拉动性强。

        光电子领域填补了深紫外-可见光-近红外波段半导体光电子技术的空白，开启了白光照明、超越照明、全色LED显示和固态紫外光源及探测的新纪元。以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体材料，因其禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等材料关键性质均为所有半导体中最高值，成为国际半导体领域的研究热点。

        近年来，“新基建”战略和“双循环”战略成为推动我国社会经济发展的新引擎、新风口，“新基建”所涉及的全部领域，都离不开巨大的电能传输、转换和使用，对电力和电子装备的高效化、小型化、轻量化、高续航能力提出了更高的要求。

        SiC、GaN功率器件展现出优异的耐高温、耐高压、高开关频率、低能量损耗及高功率密度等性能优势，非常契合现代功率电子器件应用所需的要求，利于实现电力电子系统小型化、轻量化、低成本化，在新能源汽车、消费类电子、工业电机、光伏及储能、数据中心、智能电网等多个领域具有广阔的应用前景。

        化合物半导体光电子产业正从萌芽走向成长期，催生我国新一代半导体显示、光传感、光互联、光计算等领域的新蓝海应用，也必将为产业发展和升级换代创造广阔空间。

        为更好的推动国内功率与光电半导体器件领域的技术、产业交流与合作，半导体产业网、第三代半导体产业拟于726-28日举办“功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”，会议将围绕光电子器件与功率半导体器件设计、测试评价及应用等主题，邀请产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新技术进展，分享前沿研究成果，携手促进国内功率与光电半导体器件技术与应用发展。