据中国激光杂志网，于2023年09月01日报道，二十世纪六七十年代，前苏联科学家Aleskovskii 和Koltsov首次提出了原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)技术，但受限于沉积效率低、表面化学反应复杂、设备要求较高等因素而未得到发展。
二十世纪九十年代以后，集成电路行业器件尺寸不断减小，纵横比不断增大，器件表面更加复杂，镀膜困难程度不断提高。ALD技术以其可自限制生长和共形沉积的特点，在大平面、大曲率基底、小尺寸沟槽及缝隙等复杂三维表面均匀沉积薄膜，甚至可以用于辅助生长纳米催化剂，因而在众多薄膜沉积技术中脱颖而出。目前来看，ALD技术除了在半导体、能源、光学这些方面得到应用，在医疗(如功能药品、植入式探测器)、摩擦学(如在各种表面沉积超耐磨涂层)、催化剂(如金属催化剂)等领域也展现出了巨大的潜力。
随着航空航天用光学窗口朝向多面形差异化方向发展，对大曲率(半球形、拱形)光学窗口生长红外电磁屏蔽薄膜的需求越来越迫切。但在大曲率上均匀沉积薄膜十分困难，可用的技术十分有限，且国外少数拥有这项技术的公司也对我国进行技术封锁。由于ALD在大曲率表面均匀沉积薄膜极具优势，近年来，哈尔滨工业大学朱嘉琦教授团队一直对ALD在大曲率基底上薄膜沉积技术进行探索和突破。
本期封面展示的是该团队数年来不断改进技术以后的成果，由该团队与厂家联合设计。他们改进了ALD设备的流场和温度场，成功实现了在直径130 mm半球光学窗口表面的红外透明导电薄膜的均匀沉积。流场设计方面，使ALD前驱体物质实现在大曲率基底表面的均匀吸附；温度场设计方面，舱体内部不同位置温差不超10 ℃，保证了绝大多数材料在温度区间内的沉积。
在此基础上，他们开发了红外光电性能优异的薄膜，实现电磁屏蔽性能不小于15 db，同时在中红外波段(4 μm)仍然拥有高达80%的透过率，有效解决了红外透明电磁屏蔽网栅高温成像衍射及加工的技术难题。
该团队始终以航天航空发展需求为己任，不断探索不断突破，随着装备发展的需求，这项技术将会广泛应用于各类飞行器。更多相关内容参阅该团队发表于本刊2023年第6期“半导体薄膜与外延技术”专题(下辑)的综合评述《原子层沉积及其在透明导电薄膜领域的研究与应用》。
