据半导体产业网，于2023年11月29日报道，化合物半导体在高功率、高频率、光电子学和光伏等领域的应用表现出色，推动了许多先进技术的发展。近年来在在光电子学、GaN功率器件的商业化等多个领域都取得了显著进展，并对电子、光电子学和能源等领域的技术发展产生了深远的影响。随着技术不断创新，预计未来化合物半导体领域将继续推动科技的发展。

       2023年11月28日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开幕。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

       开幕大会上，三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯带来了《化合物半导体-下一个二十年》的主题报告，详细分享了当前化合物半导体的光电子、射频电子、电源设备等技术水平和行业现状，趋势与挑战。介绍了Micro LED技术、AR Micro LED 技术、园艺照明技术及园艺照明应用，大功率激光技术等的发展。报告指出，激光应用市场持续增长，国内激光电视、激光投影和激光焊接的关键部件——高功率激光器仍由国外制造商主导。

        GaN基射频器件是新一代移动通信的关键部件，与硅基和砷化镓基相比，它具有更高的功率、更高的效率、更高工作温度和抗辐射性，是迄今为止最具优势的射频器件。欧盟/美国巨头垄断射频市场，国内设备全球份额增加，尤其是在中国本土品牌终端产品制造商中。国内品牌终端产品制造商确实需要关键部件本地化才能稳定供应，这会拉动供应链。5G基站方面，国产GaN射频达到国际水平。本地生产的GaN RF功率放大器器件达到世界水平并批量生产。

       对于未来的发展趋势，报告指出，2024年，市场对Micro-LED某些应用的需求将稳步上升，在市场化方面迈出重要一步。Micro-LED芯片市场的增长率预计为101%，预计微型LED的发展将逐步转向其他应用，如可穿戴设备/头戴式显示器。激光产业发展需要提高制造能力，将核心材料和设备本地化，以摆脱对外出口管制；GaN射频产品渗透率逐渐提高。

        随着GaN技术的成熟和成本的降低，渗透率正在提高，预计到2025年将达到50%。电动汽车市场爆发推动SIC超过68.5亿元，预计到2026年将达到245亿元，年均增长37.5%，这是未来几年中国SIC市场增长的主要驱动力。根据Wolfspeed的预测，2026年全球SiC器件市场将达到89亿美元，新能源汽车、工业和能源为60亿美元，用于RF的SiC器件市场规模为29亿美元。根据预测，到2024年，SiC的市场份额将超过10%。

       报告认为，当未来智能照明无处不在时，光电子的创新将是点亮我们幸福快乐生活的神奇钥匙。人工智能在未来无处不在，万物互联，射频和滤波器将渗透到通信、交通、医疗、智能机器人和信息安全领域。人工智能的革命需要强大的计算能力，而光通信将是最重要的桥梁。数字经济即将到来，光网络作为关键承载基地，不断向超大容量、全光交换演进升级，将承载智慧与智慧。努力打造多维物联网的“核心”世界，为未来世界提供“核心芯片”，实现人类文明的新格局、新智能、新形态。