王守武：
1919年，出生于苏州一户名门望族，4岁随父亲来到上海。
1940年代，留学美国，在普渡大学获硕士、博士学位并留校。
1950年代初，携家人回国，参与组建国内首个半导体实验室，并获多项“中国第一”的成果。
1960年代，参与创建中科院半导体所，推动我国研发成功首个砷化镓激光器。
1980年代，受命负责国内大规模集成电路及其工艺研究。
21世纪，耄耋之年仍牵挂祖国超大规模集成电路工业。
据华良甫报道，熟悉我国微电子科技领域情况的人们可能都知道，在该领域有三足鼎立一说，说的是黄昆、谢希德、王守武三位在解放初期从国外归来的博士、中科院学部委员。
黄昆、谢希德两位分别在晶格动力学散射理论和表面态物理方面卓有创建，而王守武则主攻半导体器件物理，偏重于应用。如今，这三位杰出科学家中的前两位已经作古，唯一健在的只有王守武先生。相对于黄、谢两位，王守武的知名度稍逊些，这可能与他一直在科研和产业化一线从事实际工作有关。
今年是王老推动我国首个砷化镓激光器研制成功的第50个年头，也是他作为首批海归博士回国工作的第63个年头。上世纪80年代中期，王老在上海推动集成电路产业化工作期间，笔者有幸参与接待，因而有机会结识这位享誉业内的科学家。以后，我还有几次机会见到他，最近一次是去年在美国他女儿家。当时，他思维清晰、记忆力强、声音宏亮，就是耳朵有些重听。尽管已是94岁高龄，但王老一直牵挂着祖国超大规模集成电路工业生产情况。
从那时起，笔者就很想把自己所了解的有关王守武院士的事迹写出来，让更多人知道，在中国半导体科技和集成电路产业领域，有这样一位开拓者。
出身望族的“海归”
王守武1919年出生于苏州的名门望族。父亲王季同(1876--1948)是留英学者，1927年随蔡元培先生筹备中央研究院，在数学和机电方面有很深的造诣。王守武4岁随父来上海，少年时期基本在苏州、上海两地生活读书。
高中毕业前夕，因疟疾重犯，耽误了学校的年末考试和苏州全区的毕业会考，只拿到肄业证书的他无法入读清华、燕京等名校，只得听从曾留学德国的大哥的建议，进上海同济大学德文补习班学习。一年后，他重回苏州中学参加会考，拿到了高中文凭，才正式成为同济大学机电系的学生。
1941年毕业后，王守武曾到工厂短暂工作几年，之后转到同济大学任教。1945年抗战胜利，憧憬“科学救国”的王守武于当年10月入美国印第安纳州普渡大学研究生院攻读工程力学，翌年6月，获硕士学位。因各门功课成绩优异，校方资助他攻读博士学位。此时，正在兴起的量子力学引起王守武的兴趣，他便从工程力学转向微观粒子运动规律的研究，并于两年后获得博士学位后留校从教。
1949年新中国成立，特别是1950年朝鲜战争爆发后，身在美国的王守武归国心切。他以看望年迈多病的寡母为由，抓住时机，携同在美国留学的夫人葛修怀女士(上海籍)，怀抱不满周岁的女儿，于1950年回到祖国。由此，王守武开始了为国效力的生涯。
