北京8月29日讯(科技日报记者刘英楠)以300多人的科技队伍，于2005年登记申请专利186项、获得专利授权35项，发明专利申请量全国科研院所第一名。8月28日上午，全国人大常委会副委员长、中国科学院院长路甬祥一行视察中科院半导体所，当他得知上述数据后，为该所创新能力和知识产权意识显著提升“吃了一惊”，同时指出：国立科研院所应该利用自身优势，在科技探索中多做前瞻性研究。

     中科院半导体所于1956年开始筹建、1960年正式成立，在我国半导体科技发展的各个历史阶段都曾做出突出贡献：研制出中国第一只锗晶体管，硅平面晶体管，固体组件；第一根锗单晶，硅单晶，砷化镓单晶；设计制造出第一台硅单晶炉，区熔炉……中科院半导体所所长李晋闽在汇报中指出，为进一步提升自主创新能力和集成技术水平，半导体所近年来集中力量加强科技平台建设，围绕国民经济发展的关键信息技术，坚持“两个面向”，确定研究所的研究方向。该所知识创新工程三期的重点科研项目，将围绕国家半导体照明工程、射频芯片设计及全固态激光器等对国民经济发展产生重大影响的战略目标，开展创新性研究。

     路甬祥指出，近半个世纪全球经济发展的一个重要因素是信息产业。计算机和通讯两大信息技术都基于大规模集成电路的应用，目前光电子、微电子电路的基础都是半导体芯片，从这个角度看，微纳电子学、光子学仍有极大发展空间。此外，在目前紧张的能源形势下，可再生能源技术积极谋求重大突破，这在很大程度上依赖于高光电、光热转换效率半导体原料及器件的出现。鉴于此，他对半导体所的发展寄予厚望。

    路甬祥表示，半导体所目前的科研布局并不固守传统的微电子学领域，同时也部署了光电子学和微、光电子相结合的重要领域，同时，选择国家经济建设迫切需要的领域，建立起实验条件与国际水平接轨的研究中心，

    通过加强科技平台提升核心竞争力，为三期创新奠定了较好的基础。他指出，设备先进的平台应面向全院、全国开放，为国家的科技创新做出更大贡献。令他欣慰的是，具有1700平方米超净工艺环境的半导体集成技术工程研究中心确实建立了较为完善的共享制度。

    路甬祥指出，中科院的研究所、特别是从事高技术研究的研究所，应该坚持走产业化转移的道路，通过为企业提供优良的技术和人才资源，帮助企业真正成为技术创新的主体，从而使研究所的科研成果真正为社会所用，为推动国家发展发挥更大用。他表示，对一部分科技应用已有清楚的目标和要求，对此所应利用已有基础，积极主动、建议；还有一部分应用需求尚清晰，尤其需要科研人员自主进行研究。

     路甬祥肯定了半导体所在专请方面的突出表现，并强调对专报、论文发表要有理性、科学识。他指出，专利重在实施，中科院今后将改进专利管理办法，重点统计，鼓励有价值的专利，更多地关注专利的实施率；在科技论文方面，不片面追求发表论文的数量，而应更突出论文的质量。他表示，发表论文，登记专利不是科学研究的最终目的，专利、论文必须经得起时间的检验，只有在历史上产生重要影响的研究成果，才是真正有价值的成果；而创造这种利国利民、推动科技进步的成果，正是中科院及全国科技工作者义辞的责任。

    “1+10”科技创新基地建设是院知识创新工程三期的工作重心。路甬祥要求半导体所创新三期要在坚持“面向国家战略需求，面向世界科学前沿，加强原始科学创新，加键技术创新与集成”上再下功夫，要和“1+10”基地紧密结合起来，积极参与信息、先进制造、能源等相关基地的建设和创新活动。