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  技术动态    
上海微系统所等在3D电子束光刻技术研究中取得进展
作者:cmh        来源:上海微系统与信息技术研究所 
日期:0000-00-00    阅读次数:628
副标题:

        据上海微系统与信息技术研究所,于2021年08于27日报道,电子束光刻精度极高,通常是二维微纳加工获得最小尺寸的标准工具,如何把电子束光刻的能力拓展到真三维微纳加工是研究的努力方向。

        相较于传统电子束光刻用高电压(几十kV)和薄胶(几十纳米)以保证光刻的准直度和分辨率,中国科学院上海微系统所研究员陶虎团队反其道而行,从低电压(几kV)和厚胶(几微米)入手,与上海交通大学教授夏小霞、钱志刚合作,创新开发出基因重组蜘蛛丝蛋白光刻胶,优化重组蜘蛛丝基因片段和分子量,结合基于百万级数量电子的大规模仿真模拟,实时控制加速电压调控电子在丝蛋白光刻胶里的穿透深度、停留位置和能量吸收峰,实现了分子级别精度的真三维纳米功能器件直写。该技术加工精度可达14 nm,接近天然丝蛋白单分子尺寸(~10 nm),较之前技术提升了1个数量级。蜘蛛丝蛋白优异的机械强度为复杂三维纳米结构提供了关键支持,良好的生物相容性允许进一步通过功能化,实现可载药、可驱动、可降解的4D纳米功能器件(时空可变形),在相关领域具有潜在应用前景。

  8月26日,相关研究成果以3D electron-beam writing at sub-15 nm resolution using spider silk as a resist为题,发表在Nature Communications上。该工作的第一通讯单位是上海微系统所。研究工作得到科技创新2030-重大项目、国家重点研发计划、国家自然科学基金优秀青年科学基金、中科院基础前沿科学研究计划“从0到1”原始创新项目、上海市优秀学术带头人计划等的支持。

        (图略)上海微系统所等在3D电子束光刻技术研究中取得进展


    
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